미중 반도체 협의 불발, 삼성·하이닉스 갈림길 선명해졌다
2025년 9월 미중 정상회담에서 엔비디아 H20 등 AI 반도체의 중국 수출 재허용 논의가 의제에 포함됐으나 합의 없이 종료됐다. 미국 상무부는 현행 EAR(수출관리규정) 규제를 유지하며, 중국향 AI칩 수출허가제 운영을 2026년 상반기까지 현 수준으로 지속하겠다는 입장을 재확인했다.
SK하이닉스는 HBM3E 공급의 약 95%를 엔비디아·AMD 등 미국 빅테크에 집중하고 있으며, 2025년 HBM 매출 비중이 전사 매출의 약 40%에 달한다. 반면 삼성전자는 중국 레거시 D램·낸드 시장에서 여전히 전사 반도체 매출의 약 25%를 의존하고 있어 중국 수요 위축 리스크에 더 직접적으로 노출된 상태다.
미중 갈등이 없었다면 중국 반도체가 한국 턱밑까지 추격했을 것이라는 분석은 반대로 미국의 대중 제재가 한국에게 '기술 유예 시간'을 제공했음을 의미한다. SMIC는 2023~2025년 7nm급 공정 수율이 약 45~55%로 정체됐고, 이는 제재 이전 로드맵 대비 2~3세대 격차가 유지되고 있다는 뜻이다.
중국은 광통신 부품과 DUV 노광 장비 자립화를 동시에 가속하고 있다. SMEE(상하이 마이크로전자장비)가 28nm용 DUV 장비 양산 시제품을 2025년 상반기 출하했고, 중국 국내 파운드리의 장비 자립률을 2027년까지 40%로 끌어올리겠다는 목표를 공식화했다.
미중 기술 격리가 장기화될수록 한국의 전략적 선택 공간은 좁아진다. 양측 모두에서 압박이 동시에 올 때 '균형 외교'는 실질적으로 어느 쪽도 만족시키지 못하는 중립으로 고착될 위험이 있다. 특히 미국이 동맹국의 대중 반도체 장비·소재 수출 규제를 강화하는 방향으로 진행 중인 상황에서, 한국이 독자 판단으로 중국 레거시 시장을 유지하는 비용이 점증하고 있다.
더 중요한 신호는 중국 DUV 자립 선언이다. SMEE 장비가 28nm 이상 레거시 공정에서 실용화 단계에 근접하면, 중국 레거시 수요처들이 삼성·하이닉스 의존도를 단계적으로 낮출 수 있는 기반이 생긴다. 이 전환은 2027~2028년 사이에 레거시 D램 시장에서 실제 수요 이탈로 나타날 가능성이 있다.
SK하이닉스는 HBM 집중 전략의 수혜를 지속한다. 미중 분리 구도 고착은 엔비디아 AI 가속기 수요가 중국 외 시장에서만 폭발적으로 성장하는 구조를 유지시키며, HBM3E·HBM4의 공급 독점적 지위를 최소 2026년 말까지 보장한다. HBM 단가는 일반 D램 대비 약 5~6배 프리미엄을 유지 중이다.
ASML·어플라이드 머티리얼즈 등 미국·유럽 장비사들은 중국 자립화가 완성되기 전까지 레거시 장비 유지보수 계약 수익을 유지한다. 중국 내 설치된 ASML 기존 DUV 장비가 약 1,000대로 추정되며, 부품·유지보수 수익이 연 7~9억 달러 규모다.
삼성전자는 중국 레거시 시장 의존도를 빠르게 줄이지 못할 경우 2027년 이후 수요 절벽을 맞을 수 있다. 중국 내 레거시 D램 자급률이 2025년 현재 약 15%에서 CXMT(창신메모리) 증산으로 2027년 35~40%까지 오르면, 삼성의 중국 레거시 매출 약 6~8조원이 직접 위협을 받는다.
한국 소재·부품 기업 중 중국 레거시 팹에 납품 비중이 높은 곳도 타격권이다. 포토레지스트·CMP 슬러리 등 공정 소재를 중국 CXMT·YMTC에 공급하는 국내 중견 기업들은 중국 자립화 가속 시 2026~2027년 매출 공백에 대한 대응책 마련이 시급하다.
삼성전자 공급망에 속한 소재·부품 협력사라면 지금 고객 포트폴리오에서 중국 레거시 비중을 점검해야 한다. 삼성이 중국 레거시 감산을 결정하면 연쇄 발주 취소가 예고 없이 발생한다. 대응은 2025년 4분기 이전에 미국·일본·유럽 팹 인증 추진 여부를 확정하는 것이다.
HBM 수혜 기업들의 주가는 이미 상당 부분 선반영됐지만, 탄탈럼·마그네슘·희토류 등 HBM 패키징 공정 소재 공급사는 아직 주목도가 낮다. HBM 패키징에 사용되는 언더필(underfill) 소재와 ABF 기판 소재 공급사가 2차 수혜처로 부각될 것이다.
실제 조달 현장에서는 — 삼성 레거시 라인 발주가 갑자기 줄면 그 공백이 SK하이닉스나 마이크론으로 바로 이동하지 않는다. 레거시 D램용 소재 스펙이 HBM·EUV 공정 소재와 전혀 다르기 때문이다. 레거시 전용 소재를 납품하던 협력사는 2026년 이전에 제2의 수요처를 반드시 확보해야 하며, 그 대안 목록에 인텔 파운드리·마이크론 미국 팹·인도 팹이 들어가야 한다.
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